“目前（存儲(chǔ)）市場(chǎng)已到‘有貨就好’ 的階段，價(jià)格談判幾乎停擺。”
存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)廠商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章近日接受采訪時(shí)表示，這波AI浪潮中，內(nèi)存和儲(chǔ)存元件面臨極度供不應(yīng)求的局面。
HBM（高帶寬內(nèi)存）、DRAM內(nèi)存短缺嚴(yán)重，其中HBM缺貨量極大。 由于內(nèi)存是剛需，所以即便是DDR4也收到了大量訂單。
甚至強(qiáng)勢(shì)如蘋(píng)果都在努力爭(zhēng)取2026年的產(chǎn)能分配，甚至不見(jiàn)得能拿到全部訂單。
此外，NAND閃存的價(jià)格也持續(xù)飆升。茍嘉章指出，存儲(chǔ)器價(jià)格的飛漲已直接影響消費(fèi)電子產(chǎn)品的規(guī)格，在成本逼近手機(jī)應(yīng)用處理器（AP）的價(jià)格情況下，使得在非洲和東南亞等地區(qū)，原本已主流化至128GB容量的手機(jī)，又開(kāi)始出現(xiàn)64GB的入門(mén)機(jī)型。
推理算力的起飛被視為未來(lái)儲(chǔ)存市場(chǎng)最大的驅(qū)動(dòng)力。茍嘉章表示，AI需求的爆發(fā)性增長(zhǎng)，造成了近期的內(nèi)存大缺貨情況。
與過(guò)去不同，此輪短缺并非單一因素或減產(chǎn)所致，而是涉及HBM、NAND閃存及硬盤(pán)（HDD）三大核心儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器元件同時(shí)緊缺。 預(yù)計(jì)2026年情況會(huì)持續(xù)，2027年目前還無(wú)法預(yù)測(cè)。
他認(rèn)為，AI的發(fā)展短期內(nèi)絕對(duì)不會(huì)形成泡沫，因?yàn)槠湫枨髲?qiáng)度非常高。 需求不僅限于高端訓(xùn)練，也開(kāi)始向企業(yè)端擴(kuò)散，并逐漸影響到消費(fèi)端。
由于AI需求爆發(fā)，HDD機(jī)械硬盤(pán)也迎來(lái)了春天，今年價(jià)格已經(jīng)大漲，明年的供應(yīng)也不樂(lè)觀，預(yù)計(jì)還得再漲兩三個(gè)季度。
這樣的情況當(dāng)然會(huì)讓兩大硬盤(pán)巨頭業(yè)績(jī)爆發(fā)，繼希捷之后，西數(shù)也發(fā)布了2026財(cái)年第一季度（截至10月3日）的財(cái)報(bào)，收入增長(zhǎng)27%到28.2億美元，但利潤(rùn)暴漲140%到11.8億美元。
西數(shù)表示，營(yíng)收增長(zhǎng)主要得益于公司制造運(yùn)營(yíng)部門(mén)的出色執(zhí)行，他們?cè)诠?yīng)鏈方面投入了大量精力，提高了良率。
同時(shí)價(jià)格上漲也起到了推動(dòng)作用，市場(chǎng)需求超過(guò)了西數(shù)和希捷等制造商的產(chǎn)能，同時(shí)客戶轉(zhuǎn)向更大容量的硬盤(pán)也促進(jìn)了營(yíng)收增長(zhǎng)。
面對(duì)這樣多年不遇的好日子，西數(shù)和希捷很有默契，兩家公司都不會(huì)增產(chǎn)——西數(shù)CEO直接表示，他想明確說(shuō)明一點(diǎn)，目前不會(huì)在他們的產(chǎn)品組合中增加任何單位產(chǎn)能。
也就是說(shuō)希捷、西數(shù)兩家都選擇不靠增加產(chǎn)量的方式，他們現(xiàn)在的目標(biāo)是提高硬盤(pán)容量，而非新建工廠，畢竟AI需求對(duì)大容量硬盤(pán)要求更高。
另外，根據(jù)TrendForce的最新報(bào)告，在全球云服務(wù)提供商（CSP）積極追單的驅(qū)動(dòng)下，DRAM報(bào)價(jià)漲幅已超越先前預(yù)期。
特別是DDR5的價(jià)格持續(xù)走高，與高端的HBM3e之間的價(jià)差正在快速收斂，TrendForce預(yù)計(jì)，自2026年第一季度起，DDR5的獲利表現(xiàn)將首次超越HBM3e。
由于全球CSP正在積極擴(kuò)充數(shù)據(jù)中心，帶動(dòng)了今年第四季度服務(wù)器DRAM合約價(jià)大幅上漲，進(jìn)而推高了整體DRAM市場(chǎng)的價(jià)格，供應(yīng)商調(diào)升報(bào)價(jià)的意愿明顯增強(qiáng)。
因此TrendForce將第四季度一般型（conventional DRAM）的價(jià)格預(yù)估漲幅，從先前的8-13%，大幅上修至18-23%，并指出仍有再度上修的可能性。
展望2026年，服務(wù)器整機(jī)出貨量預(yù)計(jì)年增幅將擴(kuò)大至4%，由于各大CSP積極導(dǎo)入高性能運(yùn)算架構(gòu)以支持大型模型計(jì)算，服務(wù)器單機(jī)DRAM搭載容量也將隨之提高，推升整體DRAM需求高于預(yù)期，導(dǎo)致市場(chǎng)供給短缺情況將延續(xù)。
在服務(wù)器需求強(qiáng)勁的支撐下，預(yù)計(jì)DDR5合約價(jià)將在2026年全年呈上漲態(tài)勢(shì)，尤以上半年漲幅最為顯著。
相比之下，隨著三大原廠在HBM3e上的競(jìng)爭(zhēng)格局形成，加之買(mǎi)方保有一定的庫(kù)存水位，預(yù)計(jì)HBM3e的合約價(jià)在2026年將轉(zhuǎn)為年減。
TrendForce分析，在2025年第二季度時(shí)，HBM3e和DDR5之間仍有4倍以上的價(jià)差，HBM3e能為供應(yīng)商帶來(lái)更優(yōu)的獲利。
但隨著DDR5價(jià)格的快速上漲，兩者價(jià)差將在2026年顯著縮小，關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折點(diǎn)將出現(xiàn)在2026 年第一季度，屆時(shí)DDR5的獲利表現(xiàn)將優(yōu)于HBM3e。
由于HBM3e和DDR5的產(chǎn)能在一定程度上互相競(jìng)爭(zhēng)，TrendForce預(yù)測(cè)，在獲利結(jié)構(gòu)發(fā)生翻轉(zhuǎn)后，供應(yīng)商可能會(huì)選擇進(jìn)一步增加服務(wù)器DDR5的供給量，以鞏固其獲利基礎(chǔ)。
同時(shí)由于HBM3e價(jià)格趨于穩(wěn)定且需求動(dòng)能仍強(qiáng)勁，供應(yīng)商也不排除會(huì)爭(zhēng)取提高HBM的平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）來(lái)平衡產(chǎn)品組合的獲利。
聶教授
