| 專利名稱 | 以二維材料為電子傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池及制備方法 | ||
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| 專利狀態(tài) | - | 專利號(申請?zhí)枺?/th> | CN110518122A |
| 專利申請日期 | 2019-07-26 | 專利類型 | 發(fā)明專利 |
| 申請公布號 | 2019106802668 | 申請公布日 | 2019-07-26 |
| 授權(quán)公告號 | - | 授權(quán)公告日 | - |
| 發(fā)明人 | 常晶晶;趙鵬;林珍華;蘇杰;張進(jìn)成;郝躍 | ||
| 專利權(quán)人 | 西安電子科技大學(xué) | ||
| 專利摘要 | 本發(fā)明公開了一種以二維材料為電子傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池及制備方法,本發(fā)明可以解決電子傳輸層遷移率低,穩(wěn)定性差,禁帶寬度不可調(diào)的問題,其自上而下依次包括透明導(dǎo)電襯底(1)、二維材料電子傳輸層(2)、鈣鈦礦吸收層(3)、空穴傳輸層(4)和金屬電極(5)。其中所采用的二維材料是硒化錫、硒化銦、硫化鋅、二硫化錫、硫化亞錫、硫化,過渡金屬硫化物,黑磷、二維過渡金屬碳化物、氮化物或碳氮化物、石墨烯及其氧化物任意一種。本發(fā)明由于采用二維材料的電子傳輸層,提高了電子傳輸層的遷移率,改善電子傳輸層的可見光透過性,調(diào)節(jié)禁帶寬度,從而提高器件的光電轉(zhuǎn)化效率和穩(wěn)定性,可用于鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化。 | ||
