| 專利名稱 | 最小死區(qū)的閉合式三維溝槽硅探測器 | ||
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| 專利狀態(tài) | - | 專利號(申請?zhí)枺?/th> | CN107527961B |
| 專利申請日期 | 2017-08-24 | 專利類型 | 發(fā)明專利 |
| 申請公布號 | 2017107325243 | 申請公布日 | 2017-08-24 |
| 授權(quán)公告號 | - | 授權(quán)公告日 | - |
| 發(fā)明人 | 李正;劉曉潔 | ||
| 專利權(quán)人 | 湘潭大學(xué) | ||
| 專利摘要 | 本發(fā)明公開了一種最小死區(qū)的閉合式三維溝槽硅探測器,包括貫穿刻蝕的空心四棱環(huán)電極和中央電極空心柱,中央電極空心柱設(shè)于空心四棱環(huán)電極的內(nèi)部,中央電極空心柱與空心四棱環(huán)電極的中心軸線相同,空心四棱環(huán)電極內(nèi)嵌套有八邊環(huán)電極,八邊環(huán)電極與空心四棱環(huán)電極的四個直角相對應(yīng)的邊為四分之一圓弧環(huán),八邊環(huán)電極的四分之一圓弧環(huán)與空心四棱環(huán)電極的對應(yīng)直角圍合成死區(qū),八邊環(huán)電極的底部與空心四棱環(huán)電極平齊,八邊環(huán)電極的頂部低于空心四棱環(huán)電極,空心四棱環(huán)電極、八邊環(huán)電極與中央電極空心柱之間的區(qū)域為P型或N型硅填充實體區(qū)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中死區(qū)面積大,影響探測器綜合性能的問題。 | ||
