| 專利名稱 | 一種過渡金屬硫化物納米片粉體的制備方法 | ||
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| 專利狀態(tài) | - | 專利號(申請?zhí)枺?/th> | CN110950386B |
| 專利申請日期 | 2019-12-09 | 專利類型 | 發(fā)明專利 |
| 申請公布號 | 201911250839X | 申請公布日 | 2019-12-09 |
| 授權(quán)公告號 | - | 授權(quán)公告日 | - |
| 發(fā)明人 | 張艷鋒;朱莉杰;郇亞歡 | ||
| 專利權(quán)人 | 北京大學(xué) | ||
| 專利摘要 | 本發(fā)明公開了一種過渡金屬硫化物納米片粉體的制備方法,包括:1)利用氯化鹽粉末作為生長基底;2)用單質(zhì)硫和過渡金屬的氧化物(或氯化物)作為前驅(qū)體放置在氣流上游;3)通入載氣去除殘留空氣,氣流穩(wěn)定后,將單質(zhì)硫和過渡金屬的氧化物(或氯化物)和氯化鹽粉末分別加熱至不同溫度,保溫一定時間,在基底上生長得到過渡金屬硫化物納米片。利用氯化鹽粉末作為三維基底,可以實現(xiàn)半導(dǎo)體性和金屬性過渡金屬硫化物納米片的批量制備。 | ||
