| 專利名稱 | 一種高性能芯片及其制造方法 | ||
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| 專利狀態(tài) | 專利權(quán)維持 | 專利號(hào)(申請(qǐng)?zhí)枺?/th> | 2024118550476 |
| 專利申請(qǐng)日期 | - | 專利類型 | 發(fā)明專利 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | - | 申請(qǐng)公布日 | - |
| 授權(quán)公告號(hào) | - | 授權(quán)公告日 | - |
| 發(fā)明人 | - | ||
| 專利權(quán)人 | - | ||
| 專利摘要 | 核心點(diǎn): 1. 環(huán)形梯度布局結(jié)構(gòu) 芯片采用 “中心主器件區(qū)+環(huán)形輔助器件區(qū)+外圍 I/O 端口層” 的三維構(gòu)型; I/O 端口按 “電源端口→接地端口→信號(hào)端口” 由外至內(nèi)梯度排布(圖 1、2、3、7); 散熱區(qū)居中,與主器件區(qū)垂直對(duì)齊,形成徑向散熱通道。 2. 多層橋接與散熱協(xié)同 橋連部含 層疊的橋接電路層,銅引線覆蓋絕緣層(圖 2、3); 引線兼具 電路連接與熱量徑向?qū)С?雙功能,縮短熱路徑至 500μm 內(nèi)。 (圖 3、7) 3. 分體式散熱罩 銅鋁合金罩體內(nèi)壁開設(shè) 網(wǎng)狀劃槽,填充 銅粉導(dǎo)熱膠(導(dǎo)熱系數(shù)≥8 W/m·K)(圖 4-5、9); 雙罩體通過 齒形接合面鎖緊,實(shí)現(xiàn)芯片正反面同步散熱(圖 4)。 4. 制造方法創(chuàng)新 I/O 端口采用 光刻-電鍍梯度成形工藝,電源端口線寬>200μm; 散熱罩 真空壓合+導(dǎo)熱膠固化 工藝,確保界面熱阻<0.05 K·mm2/W。 技術(shù)特征描述 結(jié)構(gòu)創(chuàng)新 環(huán)形梯度布局(主器件區(qū)→輔助器件區(qū)→I/O 端口)解放芯片雙 面空間,提升晶體管密度 50%+; 散熱路徑 創(chuàng)新 中心散熱區(qū)+徑 向 銅 引 線+雙 面 散 熱 罩 , 熱 阻 降 低 至 0.15 K·mm2/W(圖 6、7 對(duì)比); 工藝創(chuàng)新 劃槽填充銅粉膠工藝,使界面導(dǎo)熱效率提升 3 倍; 電磁熱優(yōu)化 輔助器件外移+電源/接地端口外圈布局,降低核心區(qū)電磁致熱效 應(yīng),顯著減少信號(hào)線路的電磁干擾; 潛在功能 獨(dú)特的 I/O 邊緣布局,為未來 3D 集成預(yù)留升級(jí)通道,雙面散熱 罩天然具抗強(qiáng)輻射性,同時(shí)提供了液冷接口空間;更為優(yōu)化、縮 減 I/O 端口提供可能(如雙面共用電源、接地、存儲(chǔ)等)。 法律聲明:以上權(quán)利要求覆蓋芯片結(jié)構(gòu)、散熱系統(tǒng)及制造方法,任何采用“環(huán)形 梯度布局+雙面散熱罩+多層橋接”技術(shù)方案的產(chǎn)品均落入本專利保護(hù)范圍。 | ||
