| 專利名稱 | 一種碲錳鎘晶體透射電鏡截面樣品的制備方法 | ||
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| 專利狀態(tài) | 專利權(quán)維持 | 專利號(申請?zhí)枺?/th> | ZL201810547937.9 |
| 專利申請日期 | - | 專利類型 | 發(fā)明專利 |
| 申請公布號 | - | 申請公布日 | - |
| 授權(quán)公告號 | - | 授權(quán)公告日 | - |
| 發(fā)明人 | - | ||
| 專利權(quán)人 | - | ||
| 專利摘要 | 本發(fā)明涉及一種碲錳鎘透射電鏡截面樣品的制備方法,步驟一:第一面初磨,待磨光碲錳鎘透射電鏡樣品依次用9μm金剛石薄膜、3μm金剛石薄膜和1μm金剛石薄膜進(jìn)行第一面磨光得到初磨樣品;步驟二:樣品支撐,用砷化鎵對步驟一得到的初磨樣品的磨光面進(jìn)行支撐;步驟三:第二面預(yù)減薄至出現(xiàn)楔形薄區(qū),依次用9μm的金剛石薄膜、3μm的金剛石薄膜和1μm的金剛石薄膜進(jìn)行初磨樣品的第二面磨光得到預(yù)減薄的具有楔形薄區(qū)的樣品;步驟四:楔形薄區(qū)精密減薄,用離子減薄儀對步驟三得到的具有楔形薄區(qū)的預(yù)減薄樣品進(jìn)行精密減薄。本發(fā)明不需要用傳統(tǒng)凹坑儀進(jìn)行凹坑,避免了凹坑過程引入的缺陷。精密減薄過程僅需2~4小時,大大降低了離子束轟擊造成的缺陷。三天時間可制備一個或一批碲錳隔透射電鏡截面樣品,成功率高。 | ||