專利基本信息
| 專利名稱 | 一種CQDs-MoS2-ZnS復(fù)合材料、制備方法及應(yīng)用 | ||
|---|---|---|---|
| 專利狀態(tài) | 專利權(quán)維持 | 專利號(hào)（申請(qǐng)?zhí)枺?/th> | ZL201910671414.X |
| 專利申請(qǐng)日期 | - | 專利類型 | 發(fā)明專利 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | - | 申請(qǐng)公布日 | - |
| 授權(quán)公告號(hào) | - | 授權(quán)公告日 | - |
| 發(fā)明人 | - | ||
| 專利權(quán)人 | - | ||
| 專利摘要 | 本發(fā)明公開了一種CQDs?MoS2?ZnS復(fù)合材料、制備方法及應(yīng)用，CQDs?MoS2?ZnS復(fù)合材料，所述的復(fù)合材料通過水熱反應(yīng)將CQDs摻入MoS2?ZnS復(fù)合物中；所述的MoS2?ZnS復(fù)合物為球狀的片簇，MoS2?ZnS復(fù)合物的球狀直徑為2μm，片簇中片體的厚度為50nm。具體地，CQDs?MoS2?ZnS的電容為2899.5F g?1，而MoS2?ZnS復(fù)合物，單一MoS2和單一的ZnS的電容依次為2176.1F g?1，1067.6F g?1和423.4F g?1。此外，循環(huán)了1000圈后，CQDs?MoS2?ZnS的電容保持了初始電容的84％，這說明該電極材料具有優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性。這些結(jié)果表明CQD?MoS2?ZnS復(fù)合電極在超級(jí)電容器中的巨大應(yīng)用潛力。該研究也為后續(xù)研究摻雜少量CQDs來改善其他電極材料的性能提供了重要的參考。 | ||
專利價(jià)值評(píng)估分析
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